5 02 2024 | Actualité Spatial, Innovation et technologique
Le centre de R&D a développé un procédé de croissance du GaN sur tranche de silicium de 200, voire 300 mm de diamètre, moins onéreux que le procédé GaN sur substrat SiC conventionnel, mais quasiment aussi performant jusqu’à 30 GHz et plus. Les substrats SiC hautes...
15 01 2024 | Innovation et technologique
Une équipe de recherche dirigée par le professeur agrégé Jianbo Liang et le professeur Naoteru Shigekawa de la Graduate School of Engineering de l’Université métropolitaine d’Osaka au Japon a fabriqué des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en...
8 01 2024 | Innovation et technologique
Des chercheurs de l’Université métropolitaine d’Osaka prouvent que les diamants sont bien plus que les meilleurs amis des filles. Leurs recherches révolutionnaires se concentrent sur les transistors au nitrure de gallium (GaN), qui sont des dispositifs...
8 01 2024 | Innovation et technologique
Une équipe de recherche au Japon a exploré une nouvelle utilisation du diamant, bien au-delà de son attrait esthétique. Leur travail se concentre sur l’amélioration des transistors en nitrure de gallium (GaN), des dispositifs semi-conducteurs de haute puissance et...
4 12 2023 | Innovation et technologique
Etage de puissance en nitrure de gallium (GaN) et transformateur multicouches planaire à haute fréquence. Haute densité de puissance dans un faible encombrement de 1×2,3 pouce (TEP45F, 65F). Brochage 45W et 65W interopérable… COSEL Co, annonce aujourd’hui...
