20 06 2022 | Innovation et technologie
Nous présentons un enseignement sous forme de cours, Tps et projets tutorés sur le domaine de l’impression jet d’encre de matériaux pour l’électronique imprimée (réalisation de capteurs et d’OLED (organic light-emitting diode)). Nous aborderons avec les étudiants les...
7 06 2022 | Actualités NAE - RTI
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Single event burnout sensitivity of SiC and Si Source :...
7 06 2022 | Innovation et technologique
GaN Systems Inc of Ottawa, Ontario, Canada (a fabless developer of gallium nitride-based power switching semiconductors for power conversion and control applications) has announced availability of its GaN transistor ADS (Advanced Design System) models to facilitate...
30 05 2022 | Innovation et technologique
In this work we analysed the performance of AlGaN/GaN HEMT based on the linearity metrics for variable source/drain spacing with a fixed gate length (1μm) using Sentaurus TCAD device simulator. Various figure of merits such as transconductance, higher order...
30 05 2022 | Innovation et technologique
According to Yole’s Compound Semiconductor Quarterly Market Monitor on SiC and GaN applications, SiC device market revenue continues its growth and is expected to exceed $3 billion by 2025 with EV/HEV the killer application. Meanwhile, Yole projects that the...
