4 03 2024 | Innovation et technologique
IC comprend HEMT, pilote, détection de courant et protection ; Il élimine le LDO dans les conceptions USB-PD… Innoscience, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d’alimentation de haute performance et à faible coût...
5 02 2024 | Innovation et technologique
L’industrie aéronautique connaît une transformation remarquable vers des avions plus durables et technologiquement avancés. Ce changement est particulièrement évident dans le développement des futurs avions à propulsion hybride et des véhicules aériens urbains (UAV)...
5 02 2024 | Actualité Spatial, Innovation et technologique
Le centre de R&D a développé un procédé de croissance du GaN sur tranche de silicium de 200, voire 300 mm de diamètre, moins onéreux que le procédé GaN sur substrat SiC conventionnel, mais quasiment aussi performant jusqu’à 30 GHz et plus. Les substrats SiC hautes...
15 01 2024 | Innovation et technologique
Une équipe de recherche dirigée par le professeur agrégé Jianbo Liang et le professeur Naoteru Shigekawa de la Graduate School of Engineering de l’Université métropolitaine d’Osaka au Japon a fabriqué des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en...
8 01 2024 | Innovation et technologique
Des chercheurs de l’Université métropolitaine d’Osaka prouvent que les diamants sont bien plus que les meilleurs amis des filles. Leurs recherches révolutionnaires se concentrent sur les transistors au nitrure de gallium (GaN), qui sont des dispositifs...
