23 03 2020 | Actualité Aéronautique, Actualité Défense et Sécurité
Transphorm Inc of Goleta, near Santa Barbara, CA, USA — which designs and manufactures JEDEC- and AEC-Q101-qualified high-voltage gallium nitride (GaN) field-effect transistors (FETs) — says that Hangzhou Zhongheng Electric Co Ltd (HZZH) has developed an...
23 03 2020 | Actualité Aéronautique, Actualité Défense et Sécurité
A room-temperature bonding technique for integrating wide-bandgap materials such as gallium nitride (GaN) with thermally conducting materials such as diamond could boost the cooling effect on GaN devices and facilitate better performance through higher power levels,...
23 03 2020 | Actualité Aéronautique, Actualité Défense et Sécurité
La demande en composants SiC (carbure de silicium) continue à croître rapidement, car ils maximisent l’efficacité et réduisent les dimensions et le poids des systèmes qu’ils intègrent et permettent aux ingénieurs de créer des solutions d’alimentation innovantes. Les...
16 03 2020 | Actualités NAE - RTI
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Modeling the effect of oxidation on the residual tensile strength...
16 03 2020 | Actualité Aéronautique, Actualité Défense et Sécurité, Innovation et technologie
A room-temperature bonding technique for integrating wide bandgap materials such as gallium nitride (GaN) with thermally-conducting materials such as diamond could boost the cooling effect on GaN devices and facilitate better performance through higher power levels,...
