Actualités
Airbus s’appuie sur la technologie w-DED pour produire des pièces structurelles d’avion
Airbus s’appuie sur la technologie w-DED (Wire-Directed Energy Deposition) pour créer des pièces structurelles d’avion avec moins de déchets de matériaux que l’usinage. Le passage de l’impression de petits composants à la création de grandes pièces structurelles en...
Inde : Prétendument abattu par le Pakistan, le Rafale BS-022 a pris part au défilé du jour de la République
En mai, après les frappes décidées par New Delhi contre des groupes terroristes agissant depuis le Pakistan [opération Sindoor], Islamabad affirma que ses avions JF-17 Thunder, armés de missiles air-air à longue portée PL-15 de conception chinoise, avaient abattu...
Un nouveau fabricant d’avions de ligne arrive : il n’est pas chinois mais indien
Un nouveau partenariat inédit vient de voir le jour dans l’aéronautique civil. En s’associant à l’avionneur brésilien Embraer, le conglomérat indien Adani Group affiche une ambition claire : faire émerger un véritable constructeur d’avions de ligne en Inde. Une...
Le ministère allemand de la Défense lance la réalisation d’un aéronef hypersonique réutilisable
Ayant été financé en partie par la DARPA, l’agence du Pentagone dédiée à l’innovation, et le Defence Equipment and Support [DE&S] du ministère britannique de la Défense [MoD], le projet SABRE [Synergetic Air-Breathing Rocket Engine], porté par l’entreprise...
NAE et France Travail : les fruits d’une collaboration réussie pour l’emploi dans les bassins normands
Rouen, le 29 janvier 2026 – Près d’un an après la signature d’une convention de partenariat, la filière normande NAE et France Travail Normandie dressent un bilan positif et encourageant des actions visant à satisfaire les besoins en recrutement de l'industrie...
In-depth 2D FEM analysis of gate cracking in SiC MOSFETs under repetitive short-circuit conditions: Application of a damage-based model for crack length prediction [ESREF’25 Selected and Extended Full-Paper]
The on-state resistance RDSON is a key aging indicator of silicon carbide MOSFETs power module. It can provide information on both chip and packaging degradation allowing more reliable power electronic converter. This on-state resistance can be determined using both...
Online measurement of differential drain to source voltage for SiC MOSFETS power module
The on-state resistance RDSON is a key aging indicator of silicon carbide MOSFETs power module. It can provide information on both chip and packaging degradation allowing more reliable power electronic converter. This on-state resistance can be determined using both...
Les innovations de l’impression 3D présentées au CES 2026
Présenté comme une scène mondiale dédiée à l’innovation, le Consumer Electronics Show (CES) est revenu cette année à Las Vegas, du 6 au 9 janvier. L’événement rassemble des experts en technologie, des décideurs, des médias et des acheteurs issus de l’ensemble de...
Les antennes à métasurfaces se démocratisent
Les ingénieurs de la plateforme PFAN-P (Polymères) en collaboration avec Ultimetas, ont exploré des résines photopolymères compatibles avec l'impression 3D pour des antennes haute fréquence à bas coût. La 5G et la 6G sont définies pour répondre aux attentes des...
UAV Systems and Swarm Robotics
The unstable nature of the dynamics of Unmanned Aerial Vehicles (UAVs) might significantly increase the complexity of their control strategies. In addition, some UAV systems require robust and fast stabilization to perform certain maneuvers. In particular, tail-sitter...





![In-depth 2D FEM analysis of gate cracking in SiC MOSFETs under repetitive short-circuit conditions: Application of a damage-based model for crack length prediction [ESREF’25 Selected and Extended Full-Paper]](https://www.nae.fr/wp-content/uploads/2024/12/hal-logo-text-1-400x203.png)


