Validation récente d’un portefeuille de brevets de 5N+ essentiels à la mise au point de nouveaux interrupteurs de puissance à base de GaN sur silicium en structure verticale utilisés dans des applications liées à l’électronique à haute puissance 600V/...
Three years after the launch of the initial SiCRET project, SiCRET+, a project which began in October 2023, is extending the scope of its study to include silicon carbide (SiC) power modules. The aim is to understand the ageing of power modules in normal and degraded...
WEST PALM BEACH, Fla. – Solitron Devices Inc. in West Palm Beach, Fla., is introducing the SD11487 hermetically sealed silicon carbide (SiC) power module for high-reliability applications in avionics, space, and down-hole exploration. The 51-by-30-by-8-millimeter...
Infineon Technologies AG de Munich, en Allemagne, a annoncé un partenariat dans le cadre duquel elle fournira ses dispositifs à semi-conducteurs de puissance CoolSiC MOSFET 1 200 V — en combinaison avec les circuits intégrés compacts de commande de grille isolée...
Chaque semaine NAE vous propose une veille technologique sur une thématique de sa feuille de route technologique. Aujourd’hui retrouvez sa veille sur la thématique Fiabilité électronique qui abordera : Circuits de puissance GaN-on-Si : Innoscience ouvre un centre...
