The use of GaN at higher frequencies than the aging power MOSFET is capable has put a spotlight on the degrading effects of parasitic inductance in a power conversion circuit [1]. This inductance hinders the extraction of the full benefit of GaN’s extra-fast switching...
Les HEMT à base du GaN ont déjà démontré leur potentialité pour toutes les applications forte puissance et haute fréquence. Cependant, cette technologie souffre de limitations dues notamment à un mécanisme complexe de piégeage/dépiégeage de charges qui se produit dans...
L’introduction de composants à base de SiC dans les chaînes de conversion électromécanique du ferroviaire, si elle présente de nombreux avantages, peut avoir des conséquences sur la fiabilité de l’ensemble des systèmes d’isolation des machines. Il...
L’introduction de composants à base de SiC dans les chaînes de conversion électromécanique du ferroviaire, si elle présente de nombreux avantages, peut avoir des conséquences sur la fiabilité de l’ensemble des systèmes d’isolation des machines. Il...
ON Semiconductor has announced a new range of silicon carbide (SiC) MOSFET devices for applications where power density, efficiency and reliability are key considerations. By replacing existing silicon switching technologies with the new SiC devices, designers will be...
