In a recent move, Cambridge GaN Devices (CGD), a fabless semiconductor company based in Cambridge, has secured a $9.5 million (approx £6.8 million) funding in a Series A round. Who led the funding? The funding round was co-led by IQ Capital, Parkwalk Advisors, and...
Ce travail de recherche s’inscrit dans la problématique de l’efficacité énergétique des convertisseurs de puissance à base de transistors GaN-HEMTs, cette thématique représente une importance primordiale pour des domaines tels que les transports, les énergies...
Le CEA comme Commissariat aux Energies Atomiques et Alternatives a comme objectif de développer et soutenir les avancées scientifiques et technologiques dans le domaine de l’énergie propre. Dans ce cadre le CEA LETI étudie et développe des composants de...
ARLINGTON, Va.–(BUSINESS WIRE)–JEDEC Solid State Technology Association, the global leader in standards development for the microelectronics industry, announces the publication of JEP183: Guidelines for Measuring the Threshold Voltage (VT) of SiC MOSFETs....
Avec le développement des nouveaux composants de puissance à grand gap plus performants que leurs homologues en Silicium et l’intégration croissante de ces composants dans le véhicule électrique, la compatibilité électromagnétique est devenue un enjeu important pour...
